![什么是igbt]( "什么是igbt")
- IGBT是绝缘栅双极型晶体管。是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。静态特性：ＩＧＢＴ的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。ＩＧＢＴ的伏安特性是指以栅源电压Ｕｇｓ为参变量时，漏...
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![igbt是什么]( "igbt是什么")
- 1、IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大。MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小...
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![igbt是什么驱动信号]( "igbt是什么驱动信号")
- 绝缘栅双极晶体管IGBT安全工作，它集功率晶体管GTR和功率场效应管MOSFET的优点于一身，自关断、开关频率高(10-40kHz)的特点，是发展最为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS及逆变焊机当中。IGBT的驱动和保护是其应用中的关键技术。...
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![IGBT属于什么控制型软件]( "IGBT属于什么控制型软件")
- IGBT不是软件。IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小...
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![IGBT的主要材料有哪些]( "IGBT的主要材料有哪些")
- IGBT的主要材料有外部为封装用的陶瓷；内部件是银丝、黄金镀膜和透明硅胶等。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流...
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![变频器igbt是什么]( "变频器igbt是什么")
- 变频器IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。变频器（Variable-frequencyDrive，VFD）是应用变频技术与微电子技术，通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力...
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![什么是igbt模块]( "什么是igbt模块")
- IGBT模块(InsulatedGateBipolarTransistor)，是绝缘栅双极型晶体管，由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，...
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![变频器igbt是什么意思]( "变频器igbt是什么意思")
- IGBT是变频器的核心器件，作用是将直流变为交流供电机使用。IGBT电路是负责变频器功率输出的部分，通常包含IGBT模块和IGBT的触发电路和电流反馈元件。触发电路包含隔离变压器、整流二极管、光耦隔离芯片，根据使用IGBT模块型号，有些需使用配套的触发驱动芯片以及保护电路。...
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![什么是IGBT电路啊]( "什么是IGBT电路啊")
- IGBT电路，就是IGBT及其周边的元器件组成的电路。IGBT是一种电子元器件，它分别吸取了双极晶体三极管CE结导通后的低压降，和MOS管电压驱动特性的两个优点，可以做到电压驱动微功率、低导通压降。目前已经被广泛各种大功率电子设备中，例如逆变焊机、UPS、电磁炉、稳压电源等。IGBT...
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![变频器igbt怎么测量好坏]( "变频器igbt怎么测量好坏")
- 用万用表测量变频器IGBT模块好坏的具体步骤：为了人身安全，首先必须确保机器断电，并拆除电源线R、S、T和输出线U、V、W后放可操作！(1)先把万用表打到“二级管”档，然后通过万用表的红色表笔和黑色表笔按以下步骤检测：(2)黑色表笔接触直流母线的负极P(+),红色表笔依次接触R、S、T...
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![电磁炉IGBT如何检测好坏]( "电磁炉IGBT如何检测好坏")
- 绝缘栅双极晶体管简称IGBT，是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件，那么电磁炉IGBT如何检测好坏，一起来看看吧。IGBT有三个电极，分别是G、C、E极，G极跟C、E极绝缘，C极跟E极绝缘。常见的IGBT管在C极和E极，里面集成了一个阻力二极...
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![IGBT模块损坏的原因]( "IGBT模块损坏的原因")
- 1、环境温度。环境温度高，将延长IGBT管的判断时间，使同一桥臂的上、下两管在交替导通过程中的死区变窄，甚至导致直通。这就是在夏天，模块烧坏的故障率偏高的原因；2、变频器的输出电流过大。变频器的输出电流大，也会延长IGBT管的关断时间，导致直通；3、驱动不足。驱动不足也即驱动...
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![igbt饱和压降是什么]( "igbt饱和压降是什么")
- igbt饱和压降是在门极电压驱动下，IGBT工作于饱和区（什么是饱和区请查阅相关资料），IGBT集电极（C）与发射极（E）之间的电压差；不同的门极电压对应不同的饱和压降。饱和压降是衡量IGBT是否过流的重要指标，在门极驱动电压存在的情况下，发生IGBT过流，Vce会急剧上升，一般当Vce大于饱和压降10微...
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![IGBT温度过高怎么修]( "IGBT温度过高怎么修")
- 1、清理清理散热片，让管子和散热片严密接触，包括上面的灰尘；2、清理风扇，扇叶脏东西，轴承处可以加点润滑油；3、清理风扇的风路，电磁炉外壳上的散热孔；4、换功率大的管子，耐压不低于原有管子值，温度高只要不停机、烧毁就可以使用。...
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![IGBT开关的基础知识]( "IGBT开关的基础知识")
- IGBT是绝缘栅双极型晶体管，由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的...
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![IGBT的应用]( "IGBT的应用")
- IGBT即绝缘栅双极型功率管是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件,兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点。作为电力电子重要大功率主流器件之一，IGBT已经广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。...
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![igbt模块特点]( "igbt模块特点")
- IGBT的使用综合性能是非常优越的，决非其它功率器件所能替代的。兼MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。...
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![igbt的e级和g极并联电阻的大小]( "igbt的e级和g极并联电阻的大小")
- igbt的e级和g极并联电阻的大小应该是无穷大，因为IGBT管的输入级是场效应管。IGBT是指绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点。非常适合应...
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![PWM控制IGBT的工作原理]( "PWM控制IGBT的工作原理")
- 工作原理:1、PWM控制技术在逆变电路中应用最广，应用的逆变电路绝大部分是PWM型，PWM控制技术正是有赖于在逆变电路中的应用，才确定了它在电力电子技术中的重要地位。1PWM控制的基本原理的理论基础：冲量相等而形状不同；2、PWM控制的基本原理很早就已经提出，但是受电力电子器件发...
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![igbt是什么电子元件]( "igbt是什么电子元件")
- IGBT是绝缘栅双极型晶体管电子元件，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点。IGBT模块具有节能，安装维修方便，散热稳定等特点，当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块，随...
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