飽和光電流與入射光強的關係

飽和光電流與入射光強的關係是：

1、當入射光頻率不變時，飽和光電流的值與入射光強度成正比。原因很簡單，入射光強度與單位時間照射到金屬上的光子數成正比。光子數的變化導致單位時間內吸收光子的電子數變化，故飛出的光電子數變化，導致電流的變化。

2、當入射光強度不變時，飽和光電流隨入射光頻率的增大而增大。這個理解起來比較難。可以這麼想：光強不變，單位時間內有10個光子被電子吸收，吸收後所形成的10個光電子並不是全部從金屬表面飛出。靠近金屬表面的電子受到金屬內原子核的束縛比較弱，故很容易飛出，但內部的就不一定，所以，這10個電子可能只有6個能飛出金屬形成光電流。如果在入射光強度不變的情況下增大入射光的頻率，雖然還是有10個光子被10個電子吸收形成光電子，但這10個光電子的能量比較大，所以，能夠脱離金屬內原子核束縛的能力比較強。這樣，可能就會有8個電子能飛出金屬形成光電流，這樣的話，很顯然飽和光電流會增大。